파나소닉 업계 최초로 ReRAM 개발

주 업종이 반도체업체가  아닌, 파나소닉이라니 좀 신기하긴 하네요..

 

 

미국  ISSCC 2012에서 발표된 내용 입니다.

 

파나소닉은 23일, 업계 최고속의 2층 구조 크로스 포인트형 ReRAM(Resistive RAM)을 개발했다고 발표했다.

 

ReRAM은 금속 산화물을 전극 사이에 둔 구조의 비휘발성 메모리로 구조가 단순하기 때문에 미세화에 적절하며 기존의 NAND보다 빠른 특징을 가진다. 다만, 쓰기 속도의 느리기나 1T1R형에서는 대용량화가 곤란하다는 문제가 많았다.

 

이번 파나소닉이 개발한 것은 교차되는 배선교점(크로스포인트)에 ReRAM 소자를 배치하여 1bit를 구성하는 크로스포인트형 ReRAM. 트랜지스터와 ReRAM 소자를 조합하는 1T1R에 비해 트랜지스터가 필요하지 않기 때문에 셀 사이즈를 1/4정도로 축소할 수 있었다.

 

그리고 적층도 가능하여, 4층 구조로 했을 경우 약 16배의 고밀도화가 가능해진다.

 

이제까지 크로스포인트형 ReRAM의 개발에는 누전 전류를 막기위하여 일정 전압 이상에서는 쌍방향에 저항 변화에 필요한 전류가 흐르도록, 일정 전압 이하에서는 쌍방향에 전류를 제한할 수 있는 쌍방향 다이오드가 필요했지만, 해당 다이오드 소자는 존재하지 않았다. 이에 대해서는 Tantal 산화물의 저항 변화를 쌍방향으로 제어할 수 있는 쌍방향 다이오드를 SiN형으로 개발하여 누전 전류를 1/80로 낮췄다. 추가로 계층 비트선방식 및 다비트 동시 쓰기 방식을 채용하여 누전 전류를 1만 분의 1 이하로 낮춰 크로스포인트형 주변 회로의 동작 한계인 쓰기 펄스 폭 8.2ns를 달성해 쓰기 속도 443MB/sec를 실현했다.

 

 

왠지 모바일쪽에서만 적용될거 같은데...

샌디스크에서 개발 한다고 설치던데... 이미 나왔군요;;;

양산은 될지말지 모르는거지만요 신기술들은 늘 반갑습니다^^

일반 메모리 모듈 제조회사에서 선점할 줄 알았더니

 

시제품은 180 nm 공정으로 만들어진 64 Mbit 짜리입니다. ( 기가가 아니라 메가단위.. )

이에 반해 삼성은 이미 20 nm 공정으로 다이 면적 59.4 평방밀리미터인 8 Gbit PRAM 을 만들었죠. 방식은 다르지만 비휘발성 메모리이고요. 아직 양산은 하지 않지만 뭐 삼성이야 시장만 확보되면 바로 양산할테고요.